문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 RAM (문단 편집) ==== MRAM ==== Magnetoresistive Random-Access Memory, 자기 저항 메모리 오래 전부터 연구가 진행되었으며, 실 사용이 가능한 샘플의 양산도 끝마쳤으나 특성상 소자의 크기를 줄이기가 힘들기에 고밀도화에 난항을 겪고 있다. 박막의 스핀배열이 평행/반평행인지에 따라 저항이 변하는 거대자기저항(GMR) 현상[* 흔히 스핀 밸브라고 한다.]을 이용한 소자이다. 2017년 4월, 삼성전자에서 파운드리 제품에 MRAM을 접목하기로 했다. [[https://n.news.naver.com/mnews/article/030/0002603322|출처]] 2019년 3월 7일 삼성전자에서 ~~MRAM의 양산 시작을 발표했다~~ 정확히는 파운드리 제품 중 임베디드로 MRAM을 넣은 제품의 양산출하 시작이다. 굳이 정정하자면 진작에 양산에 들어간 것. [[https://n.news.naver.com/mnews/article/374/0000178526|출처]] 사용처는 스마트폰 등의 저장장치, eFlash 등의 대용으로 보인다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기