문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 RAM (문단 편집) ==== RRAM(ReRAM) ==== Resistive Random-Access Memory, ReRAM, 저항 변화 메모리 부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 메모리. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 재료를 이용한 RRAM이 개발되고 있다. 비휘발성의 특징을 가진 메모리로, [[SRAM]]과 달리 백업배터리가 불필요하다. 소비전력이 낮고 작은 칩사이즈로 소규모 패키징이 가능한 것이 장점이다. EEPROM에 비해 고용량 집적화가 용이하며, [[NOR]] FLASH와 [[NAND]] FLASH에 비해 속도가 우수하다. 위와 같은 이유로 [[IoT]] 관련 제품이나 메디컬 분야, 물류, 보안 분야에서 자주 사용된다. 현재 [[후지쯔]]에서 12Mbit ReRAM을 출시하며 용량 부분에서 크게 개선된 점을 확인할 수 있다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기