문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 그래핀 (문단 편집) === 1965년 이후, 켜쌓기 기법 === Epitaxial Graphene 은 결정 표면에서 한층 한층 결정을 성장시키는 기법인 켜쌓기(epitaxy)를 이용해서 만드는 그래핀을 말한다. 그래핀 만드는 테크닉들 중에서 굉장히 오래된 방법 중에 하나다. 시작이 '''1965년'''.[* 당시에는 그라파이트를 만드는 방법으로만 사용되어 왔다.] SiC(실리콘 카바이드)를 고온열처리를 하여 표면에 있는 실리콘 원자들을 날려 보내면 표면의 탄소원자들이 Graphitation(그라파이트로 재구성)되는 현상을 이용한 방법인데 온도등의 조건을 적절히 조절하면 그래핀의 층수를 조절할 수 있다는 것이 Geim그룹의 발견 전후로 규명이 되었다. 스카치테이프보다 넓은 대면적과 CVD, GO(Graphene oxide)등의 방법보다는 월등한 퀄리티를 자랑하지만, 대면적이 넓다는게 스카치테이프와 비교해서지 CVD와 비교했을때 대면적상에서 상대가 안 된다. 따라서 주로 응집/고체물리 실험을 할 때 샘플 크기와 퀄리티의 절충이 필요한 부분에서 많이 사용하는 방식이다. 다만 주의할 것이 처음에 그래핀 한층이 만들어지면, (SiC 격자기준으로) 6root3 X 6root3 주기로 SiC와 공유결합을 하는 바람에 우리가 원하는 디랙밴드는 나오지 않는다. 그래서 해당 층을 Zeroth Layer(혹은 Buffer Layer)라고 하며, 한 층을 더 성장시켜야 우리가 원하는 1층 그래핀의 디랙밴드가 만들어진다. 물론 최근에는 Intercalation Method가 많이 나와 두층으로 그래핀 한층짜리 구조를(하나는 SiC에 몸빵으로 희생) 잘 안만들기는 하지만...[* 한층을 몸빵으로 해서 만들면 n-type doped된 상태로 측정된다. 반면 zeroth layer에 다른 물질로 intercalation을 시킨 경우(수소)는 디랙포인트가 Fermi Level에 있는 아주 이상적인 상태가 된다.]저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기