문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 태양전지 (문단 편집) ==== 무기박막 계열 ==== III-V족 ; GaAs, InP, GaInAs, GaAlAs 등 II-VI족 ; CdTe, CdS, ZnS 등 I-III-VI족 ; CIS/Se, CGS/Se, CIGS Si와는 달리 전부 direct 밴드구조를 갖는다. 원자핵의 진동으로 에너지가 새어나가는게 적어져 효율이 높기 때문. 많은 소자가 단일물질 반도체로 유명한 14족을 중심으로 대칭이지만, 꼭 이렇게 결합한 화합물만 반도체라는 건 아니다. 이중에서 '''[[갈륨|Ga]][[비소|As]]계열'''은 훌륭한 성능과 내구력을 자랑한다. 그만큼 당연히 가격도 비싸다(...) III-V은 소자제작 비용이 높기 때문에 Fresnel Lens를 이용해서 (돋보기와 유사) 빛을 집속시켜 사용하는 경우가 많으며, 주로 우주탐사나 인공위성 등 제작 가격보다는 성능이 중요한 제한적인 조건에서만 사용된다. --제조할 땐 [[사파이어]] 재질 기판 위에 증착시켜 성장하게 하는 방법을 취하는데, 화합물과 사파이어의 결정 크기가 가장 비슷하기 때문이나 완전히 같지 않아 공정을 위해 열을 가하면 [[열팽창]] 정도 차이로 쩍쩍 갈라지는 문제가 있었다. 이 부분을 해결한 것이 [[노벨물리학상/수상자|2014년 노벨물리학 수상자]]들의 연구과제였다. 수상제목은 [[LED]]에 대한 것이지만, 태양전지에도 해당한다.-- GaAs계열의 태양전지는 기본적으로 GaAs기판이나 다중접합구조의 태양전지의 경우는 Ge기판위에 성장시키는것이 원칙이다. (Ge과 GaAs의 격자상수는 매우 비슷하다). 주로 GaAs와 같은 III-V물질이 태양전지원으로 이용될때 다중접합구조의 Tandem 태양전지를 구현하는데 사용되며 (예: 0.7eV (Ge:기판)/1.4eV (GaAs:에피층)/1.8eV(InGaP:에피층))과 같이 격자상수가 비슷하지만 다양한 밴드갭을 가지는 물질을 다층으로 증착시켜 구현한다. 원글의 사파이어 기판위의 증착은 주로 나이트라이드 계열의 물질을 증착시키기위해 사용되는데 물질의 퀄리티문제와 (나이트라이드 계열 반도체 내의 높은 결점농도) 제한된 밴드갭으로 인해 (나이트라이드 계열은 높은 밴드갭 에너지를 가진다.) 태양전지에서 잘 사용되지 않는다. 이외에 [[구리(원소)|C]][[인듐|I]][[갈륨|G]][[셀레늄|S]] 소자는 구리 인듐 갈륨 셀레늄이 구성물로, 연구소 수준에선 다결정 Si의 효율보단 좋다. 실리콘 태양전지에 비해 적은 물질로도 빛을 잘 흡수하므로 박막화가 가능해 더 가격을 낮출수도 있어 실용화되면 보급형으로 잘 먹힐 수 있다. 그러나 In및 Ga의 원료수급 문제가 있어서 상용화에 문제가 있다. Cd[[텔루륨|Te]] 태양전지는 독극물인 Cd([[카드뮴]])을 사용하나 제조시에 사용되는 [[에너지]]가 적고, 환경성능이 좋으며[* [[리튬]]이온 전지와 니켈수소 전지가 소형 축전지 시장을 니카드 전지로부터 빼앗으면서 소비가 줄어든 카드뮴은 점점 처리가 힘든 폐기물 취급을 받게 되었는데, 그런 카드뮴을 태양전지의 형태로 고정시켜서 비교적 안전하게 처리할 수 있게 되었기 때문이다. 그러나 구동시간동안 주변토양 및 수질의 카드뮴 오염이 문제점으로 지적된다. 흔히 태양전지에 중금속이 사용된다는 말이 바로 CdTe 태양전지에 해당된다.] 화합물 반도체중에선 저가여서 미국이나 RU에서 대규모 발전소에 이용하기 시작했다. 폐기시엔 제조회사에서 책임진다는 모양이다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기