문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) === 접합형 트랜지스터 (BJT, bipolar junction transistor) === || [youtube(1fdQ_8k1sLU)] || ||<:>[[파일:external/upload.wikimedia.org/200px-NPN_BJT_%28Planar%29_Cross-section.svg.png]]|| || '''n-p-n형 BJT(Bipolar Junction Transistor)''' || 1947년 벨 연구소의 H.W. Brattain과 [[존 바딘|J. Bardeen]], W. Shockely가 [[저마늄]]을 이용해 최초로 제작하였다. (이에 대한 공로로 세 사람은 1956년 [[노벨물리학상]]을 수상하였다.) 조립형 전자 키트 등을 사면 쉽게 볼 수 있다(새까만 삼발이 부품). 실리콘 [[웨이퍼]]에 수차례 도핑을 거치면 완성되는 구조라, 옥사이드를 길러야 하는 MOSFET보다 제조하기 쉽다는 장점이 있다. MOSFET의 경우 Si과 gate insulator 경계면과 인접한 부근에 전류가 주로 흐르기 때문에, 웨이퍼 표면의 상태가 깨끗해야 잘 작동한다. 이러한 점은 잘 작동하는 MOSFET을 만들기 어려운 점으로 작용했으며, MOSFET보다 BJT가 먼저 상용화된 이유 중 하나이다. 그러나 계속되는 소자의 Scaling 으로 인해 BJT는 MOSFET으로 대체되게 되었는데, 그 이유는 BJT의 전력소모가 MOSFET에 비해 매우 크기 때문이다. 소자 한 개당 전력소모가 크다는 것은 열발산 또한 많다는 뜻이 된다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기